松下子会社、45nmプロセス向けの不純物添加技術を開発

　松下電器産業の子会社で半導体プロセス技術開発を行うユー・ジェー・ティー・ラボ（UJT）は6月14日、45nmプロセス以降の微細半導体デバイス製造に必要となる不純物添加方法を東京工業大学と共同で開発したと発表した。厚さ10nm以下の不純物層が生成でき、製造プロセスも従来の技術に比べて数十倍高速化できるという。

　UJTは松下の社内ベンチャー支援施策「パナソニックスピンアップファンド」を活用して2002年6月に設立された企業。今回の技術は東京工業大学フロンティア創造共同研究センター教授の岩井洋氏、同総合理工学研究科助教授の筒井一生氏らと共同で開発した。

ユー・ジェー・ティー・ラボ代表取締役社長の水野文二氏

　トランジスタはゲート長が短くなるほどソース・ドレイン間のリーク電流が多くなり、正常に動作しなくなるという問題が起きる。この問題を解決するためにはソース・ドレイン電極の深さ方向を浅くする必要がある。例えば45nmプロセスでは、不純物層の厚さを10nm程度にする必要があると言われている。

　しかし、現在シリコン中に不純物を添加する方法として広く使われているイオン注入法では、不純物層を薄くすることが難しかった。UJTではプラズマドーピング法という技術を用いることで、6〜7nmの幅で不純物を高密度添加することが可能になったという。プラズマドーピング法はプラズマを用いて、超低エネルギーで物質を添加する技術だ。

　ユー・ジェー・ティー・ラボ代表取締役社長の水野文二氏によると、イオン注入法ではプロセス幅が細くなるほど生産性が落ちるが、プラズマドーピング法ではプロセス幅にかかわらず生産性が一定になるという。「イオン注入法に比べて数十倍から百倍の生産性を発揮する」（水野氏）と自信を見せた。

　UJTでは今後2年間で量産技術の開発を行う予定で、2007年にはパートナー企業が45nmプロセスの半導体を量産できるようにしたいという。今回の技術は6月17日にホノルルで開催されるVLSIシンポジウムにおいて発表する予定としている。