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インテル、512Mビット積層フラッシュメモリを年内発売へ

2003/04/10 16:13
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 Intelは4月10日、現在開催中の開発者向け会議「インテル デベロッパ・フォーラム(IDF)Japan Spring 2003」で、携帯電話機向けの新型フラッシュメモリを発表した。

 同メモリは、1.8V Intel StrataFlashワイヤレスメモリを使用し、メモリLSIを5枚積層可能なインテル超薄型スタックド・チップスケール・パッケージング(CSP)を採用している。「メモリ密度の高い同製品により、携帯電話機メーカーは実装面積を削減できる上、多機能携帯電話機で必要となるフラッシュメモリの容量を満たせる」(同社)

 Intelの超薄型CSPは、厚さ1mmのパッケージにバス幅16ビットのSRAMおよびPSRAMダイを最大5枚積層できる。またオプションとして、バス幅32ビットのLow Power SDRAMを追加可能という。

 現在同メモリはサンプル品を出荷している。量産品の出荷は、512Mビット版を2003年中に、1Gビット版を2004年に開始する予定。量産時の価格は、メモリ容量やRAMの組み合わせによって異なる。

Intelのプレスリリース

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