サムスンは、モバイル向けに8GバイトのDRAMを製造し、供給を開始したと発表した。
10ナノメートル製造プロセスによる16GビットのLPDDR4モジュールを用いたこのDRAMは、スマートフォンの仕様を高性能の超薄型ノートPCに匹敵する水準に押し上げることになる。
DRAMの書き込み速度は4266Mbpsで、サムスンによると、従来の高性能PCの2倍高速だという。また、スマートフォンでの4K UHD動画の再生がさらに改善されるとしている。
サムスンは、2015年8月に20ナノメートル製造プロセスで12GビットのLPDDR4 DRAMの生産を開始した。
最新のDRAMはメモリ容量が2倍になり、エネルギー効率も2倍になった。面積は既存のモバイルチップパッケージ(15mm×15mm)と変わらず、厚さが1mmに満たないため、モバイルアプリケーションプロセッサまたはUFSメモリに組み込める。
サムスンによると、このチップを2016年内に主力スマートフォンに搭載する予定だという。
サムスンは、10ナノメートル製造プロセスで商用製品を発売する初めての企業となった。
この記事は海外CBS Interactive発の記事を朝日インタラクティブが日本向けに編集したものです。
CNET Japanの記事を毎朝メールでまとめ読み(無料)
パナソニックのV2H蓄電システムで創る
エコなのに快適な未来の住宅環境
ZDNET×マイクロソフトが贈る特別企画
今、必要な戦略的セキュリティとガバナンス
ものづくりの革新と社会課題の解決
ニコンが描く「人と機械が共創する社会」